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MVR蒸發(fā)器系統(tǒng)
MVR蒸發(fā)器不同于普通單效降膜或多效降膜蒸發(fā)器，MVR為單體蒸發(fā)器，集多效蒸發(fā)器于一身，根據(jù)所需產(chǎn)品濃度不同采取分段式蒸發(fā)，即產(chǎn)品在次經(jīng)過效體后不能達(dá)到所需濃度時(shí)，產(chǎn)品在離開效體后通過效體下部的真空泵將產(chǎn)品通過效體外部管路抽到效體上部再次通過效體，然后通過這種反復(fù)通過效體以達(dá)到所需濃度。
效體內(nèi)部為排列的列管，管內(nèi)部為產(chǎn)品，外部為蒸汽，通過真空泵在效體內(nèi)形成負(fù)壓，降低產(chǎn)品中水的沸點(diǎn)，從而達(dá)到濃縮的目的。
產(chǎn)品經(jīng)效體加熱蒸發(fā)后產(chǎn)生的冷凝水、部分蒸汽和給效體加熱后殘余的蒸汽一起通過分離器進(jìn)行分離，冷凝水由分離器下部流出用于預(yù)熱進(jìn)入效體的產(chǎn)品，蒸汽通過壓縮風(fēng)機(jī)進(jìn)行增壓(蒸汽壓力越大溫度越高)，而后經(jīng)增壓的蒸汽通過管路匯合一次蒸汽再次通過效體。
設(shè)備啟動時(shí)需一部分蒸汽進(jìn)行預(yù)熱，正常運(yùn)轉(zhuǎn)后所需蒸汽會大幅度減少，在壓縮風(fēng)機(jī)對二次蒸汽加壓的過程中由電能轉(zhuǎn)化為蒸汽的熱能，所以設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)過程中所需蒸汽減少，而所需電量大幅增加。
加熱蒸汽與產(chǎn)品之間的溫度差也保持在5—15℃左右，產(chǎn)品與加熱介質(zhì)之間的溫度差越小越有利于保護(hù)產(chǎn)品質(zhì)量、有效防止糊管。
產(chǎn)品的濃縮度在50%左右時(shí)僅MVR蒸發(fā)器就能完成，當(dāng)所需濃度為60%時(shí)則需安裝閃蒸設(shè)備。
如果溶液中晶體表面不足，晶體的生長不足以消除由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過飽和度，使得溶液的過飽和度過高，而處于不穩(wěn)定區(qū)域，溶液的過飽和度將以自發(fā)成核過程來消耗過飽和度，從而形成大量的細(xì)小晶體顆粒。此時(shí)需要對蒸發(fā)結(jié)晶過程中的蒸發(fā)強(qiáng)度進(jìn)行控制，使結(jié)晶體系的過飽和度始終處于結(jié)晶介穩(wěn)區(qū)之內(nèi)，以保證所設(shè)計(jì)的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備能生產(chǎn)出符合設(shè)計(jì)任務(wù)要求的產(chǎn)品。晶體在生長區(qū)的停留時(shí)間越長，晶體生長的時(shí)間越長，晶體粒度越大，晶體表面也越大。大粒度晶體的生成需要有足夠的生長時(shí)間。
一，有些時(shí)候，為了保證蒸發(fā)速度、提高蒸發(fā)效率，同時(shí)為了讓蒸發(fā)過程中減少結(jié)垢情況，廠家要及時(shí)對單效蒸發(fā)器進(jìn)行清洗等處理（比如使用強(qiáng)制循環(huán)泵、化學(xué)清洗、電磁處理）來減少單效蒸發(fā)器表面的大量污垢，這些操作會消耗額外的能源，導(dǎo)致單效蒸發(fā)器在非蒸發(fā)的過程中耗費(fèi)大量能源。但是如果放任單效蒸發(fā)器上的結(jié)垢一直存在，那么只會導(dǎo)致整個(gè)蒸發(fā)中，蒸發(fā)效率變慢、效果變差，這樣依然會浪費(fèi)能源。
二，單效蒸發(fā)器在蒸發(fā)過程中，其傳熱系數(shù)不夠大，那么傳熱的效果就不會好。這相當(dāng)于是一種能源浪費(fèi)，因?yàn)橛胁糠帜茉礋o法用于蒸發(fā)過程。所以當(dāng)單效蒸發(fā)器的傳熱系數(shù)不夠高時(shí)，廠家要及時(shí)找到原因并且解決這個(gè)問題。
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